数字源表
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产品介绍：
HY‑SMU1700 系列是一组单通道高精度直流型源测量单元，包含 HY‑SMU1750、HY‑SMU1760、HY‑SMU1761、HY‑SMU1770 四款机型。整机集电压源、电流源、电子负载、高精度测量仪表于一体，主打稳态直流 I‑V 特性测试，不提供官方脉冲功率指标，面向半导体器件、新材料、无源器件开展精密电学表征，可替代多台分立测试仪器，适配实验室研发与可靠性测试系统集成。
产品特点：
四象限源‑阱一体化工作模式，既可以向外输出功率，也可以吸收负载功率，完成器件正向、反向连续 I‑V 扫描，无需额外配置电源与电子负载。
高精度 6½ 位测量分辨率，基础测量准确度可达 0.012%，支持 pA/fA 级微弱漏电流检测，兼顾小信号微电流与中大功率直流稳态测试，宽动态量程覆盖微弱信号到大电流直流工况。
5 英寸高分辨率电容式触摸屏人机交互界面，图形化 GUI 操作；内置 4 组 Quickset 快速测量模式，可快速完成参数配置；面板集成上下文帮助提示，简化现场调试操作。
双端接线设计，前面板香蕉座便于快速实验，后面板螺丝接地端子适合机柜系统集成；前置 USB2.0 接口，支持本地 U 盘存储测试数据与曲线文件。
紧凑 2U 半宽机架式机箱，标准机柜安装尺寸，便于搭建多仪器自动化测试系统；支持程控通讯，对接上位机软件，自动采集 I‑V 曲线、记录电学参数，实现自动化测试流程。
机型差异化覆盖：1750/1770 主打高压微漏电流测试；1760 中等功率直流测试；1761 提供千瓦级大功率直流输出，满足大功率器件稳态表征需求。
应用领域：
分立半导体器件：二极管、MOSFET、BJT、FET 的 I‑V 特性、漏电流、击穿电压稳态测试；
第三代半导体：SiC、GaN 材料及器件静态电学参数表征；
无源元器件：传感器、MOV 压敏电阻、热敏电阻、电容等元件特性分析；
光电器件静态参数测试：LED、光电二极管静态电学表征；
圆片级可靠性试验、器件故障分析、新材料电学特性研究；
高校科研院所、企业研发实验室器件稳态参数评估。
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