HY-SMU3000、1951A、1900B、1700 系列源测量单元（源表）选型表

为满足半导体、光电器件、电池等产品 I‑V 特性测试需求，现对HY‑SMU3000、1951A、1900B、1700 系列源测量单元进行选型梳理。本文汇总各型号关键技术指标、机箱规格及适用测试场景，作为项目选型参考资料。

HY-SMU3000、1951A、1900B、1700 系列源测量单元（源表）选型表
产品型号	通道	最大电流源/量程	最大电压源/量程	测量分辨率（A/V）	电源	体积*
HY-SMU3000	1CH	120mA	3000V	1fA / 100nV	180W（直流）	2U半宽
HY-SMU1951A	1CH	50A	40V	100fA / 100nV	2000W（脉冲）200W（直流）	2U半宽
HY-SMU1901B	1CH	10A	40V	100fA / 100nV	200W（脉冲）40W（直流）	1U宽或2U半宽
HY-SMU1902B	2CH	10A	40V	100fA / 100nV	200W（脉冲）40W（直流）	1U宽或2U半宽
HY-SMU1904B	2CH	10A	40V	100fA /100nV	200W（脉冲）40W（直流）	1U宽或2U半宽
HY-SMU1911B	1CH	10A	200V	100fA / 100nV	200W（脉冲）30W（直流）	1U宽或2U半宽
HY-SMU1914B	2CH	10A	200V	100fA / 100nV	200W（脉冲）30W（直流）	1U宽或2U半宽
HY-SMU1912B	2CH	10A	200V	100fA / 100nV	200W（脉冲）30W（直流）	1U宽或2U半宽
HY-SMU1934B	2CH	10A	200V	1fA / 100nV	200W（脉冲）30W（直流）	1U宽或2U半宽
HY-SMU1935B	1CH	10A	200V	0.1fA / 100nV	200W（脉冲）30W（直流）	1U宽或2U半宽
HY-SMU1936B	2CH	10A	200V	0.1fA / 100nV	200W（脉冲）30W（直流）	1U宽或2U半宽
HY-SMU 1750	1CH	1A	200V	10fA / 10nV	20W（直流）	2U半宽
HY-SMU 1760	1CH	7A	100V	1pA / 100nV	100W（直流）	2U半宽
HY-SMU 1761	1CH	10A	100V	1pA / 100nV	1000W（直流）	2U半宽
HY-SMU 1770	1CH	1A	1100V	10fA / 100nV	20W（直流）	2U半宽
HY-SMU1901B-PULSE	1CH	10A	40V	100fA / 100nV	脉冲发生器: 100W SMU源: 200W（脉冲）40W（直流）	1U宽或2U半宽

*HY-SMU1900B系列有两种体积可供选择，其中1U体积的产品命名以-1U结尾，例：HY-SMU1901B-1U。

典型行业应用

适用于对各种现代电子设备和器件进行l-V特性分析和功能测试：

■ 分立和无源元件：两抽头器件，如传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）二极管齐纳二极管、电容、热敏电阻；三抽头器件如小信号双极结型晶体管（BJT）场效应晶体管（FET）

■ 简单IC器件：光学器件、驱动器、开关、传感器、转换器、稳压器

■ 集成器件：小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）、模拟IC射频集成电路（RFIC）、专用集成电路（ASIC）、片上系统（SOC）器件

■ 光电器件：发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器

■ 圆片级可靠性：NBTI、TDDB、HCI、电迁移

■ 太阳能电池

■ 电池